國際第三代半導體論壇
International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China(IFWS)
2017年11月1-3日
中國·北京·首都機場希爾頓酒店
2017國際第三代半導體論壇是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和中關村科技園區順義園管理委員會主辦，得到科技部，發改委，工信部，北京政府等相關部門大力支持。
會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體新興產業的發展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。
大會主席
Umesh K. MISHRA——美國國家工程院院士、Transphorm 的聯合創始人
美國加州大學圣巴巴拉分校杰出教授
曹健林--中華人民共和國科學技術部原副部長
技術程序委員會
主任
鄭有炓--南京大學教授、中科院院士
副主任
劉 明--中科院微電子所教授、中國科學院院士
張 榮--山東大學校長、南京大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
邱宇峰--國家電網智能研究院副院長
張國義--北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
主辦單位
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
中關村科技園區順義園管理委員會
支持單位
國家科學技術部
國家發展與改革委員會
國家工業與信息產業部
北京市人民政府
協辦單位
首都創新大聯盟
國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)
國際半導體照明聯盟(ISA)
中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會
中國電子學會電子材料分會
中國電力電子行業協會
中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟
SEMI
中國照明學會
中國智能家居產業聯盟
中國可再生能源學會
能源互聯網聯盟
TD產業技術創新戰略聯盟
中國智慧城市產業技術創新戰略聯盟
論壇長期與IEEE合作。投稿給SSLCHINA的優質論文，會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表征文重點內容
S1: 碳化硅材料與器件
碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度，在新能源發電、電動汽車等一些重要領域展現出其巨大的應用潛力。碳化硅電力電子器件的持續進步將對電力電子技術領域的發展起到重要的推動作用。本分會的主題涵蓋SiC襯底、同質外延和電力電子器件技術。分會廣泛征集優秀研究成果，將邀請國內外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術的最新進展。
征文方向：
SiC晶體生長和加工
SiC同質外延
SiC材料缺陷控制與表征方法
SiC電力電子芯片結構設計與仿真
SiC電力電子芯片工藝
SiC電力電子芯片可靠性
SiC電力電子芯片測試和表征
SiC電力電子芯片的其他新技術
分會主席：
盛 況--浙江大學教授
分會委員：
徐現剛--山東大學教授
陳小龍--中科院物理所教授
張玉明--西安電子科技大學教授
張安平--西安交通大學教授
柏 松--中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
王德君--大連理工大學教授
S2: 氮化鎵功率電子器件
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結構與生長、氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造，氮化鎵功率應用與可靠性等。將邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現氮化鎵電力電子器件研究與應用的最新進展。
征文方向：
大尺寸襯底上GaN基異質結構外延生長和缺陷、應力控制
GaN基電力電子器件技術
GaN襯底材料和厚膜同質外延
GaN器件封裝技術
GaN電力電子應用
GaN電力電子技術的市場研究
分會主席：
陳 敬--香港科技大學教授
徐 科--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心主任、蘇州納維科技有限公司董事長
分會委員：
李順峰--北京大學東莞光電研究院副院長
陳 鵬--南京大學教授
張國旗--代爾夫特理工大學教授
晏文德--中興通訊股份有限公司副總裁、中興通訊能源研究院院長
S3: SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性
寬禁帶半導體電力電子器件近年來不斷獲得技術的突破，具備廣泛的市場應用前景。這類器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優勢，在新能源發電、電動汽車、充電樁、電力轉換及管理系統和工業電機領域等已展現出其巨大的應用潛力。因此，針對寬禁帶半導體電力電子器件的封裝及可靠性技術是推動其快速市場化并廣泛應用的關鍵。本分會的主題涵蓋寬禁帶半導體電力電子器件封裝設計、工藝、關鍵材料與可靠性評價等方面。分會廣泛征集優秀研究成果，將邀請國內外知名與家參加本次會議，充分展示寬禁帶半導體電力電子器件封裝技術及其可靠性評價的最新進展。
征文方向：
SiC/GaN電力電子器件封裝設計和仿真
SiC/GaN電力電子器件封裝集成
SiC/GaN電力電子器件封裝熱散熱
SiC/GaN電力電子器件封裝材料和工藝
SiC/GaN電力電子器件封裝可靠性
SiC/GaN電力電子器件驅動保護
SiC/GaN電力電子器件測試和監測
SiC/GaN電力電子器件應用
SiC/GaN電力電子器件封裝其他新技術
分會主席：
陸國權--天津大學教授
張國旗--代爾夫特理工大學教授
分會委員：
于坤山--北京國聯萬眾半導體科技有限公司總裁
趙爭鳴--清華大學教授
楊 霏--國家電網智能研究院高級工程師
張安平--西安交通大學教授
柏 松--中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
陶國橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
王德君--大連理工大學教授
