S4: 第三代半導體與微波射頻技術
第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點,在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。本分會的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面。擬邀請國內外知名專家參加會議,呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
征文方向:
高性能微波GaN器件技術
用于高性能微波器件的GaN外延技術
GaN微波集成電路技術
GaN微波器件及工藝的可靠性
GaN微波器件的大信號等效電路模型與物理模型
GaN器件和電路在移動通信中的應用
分會主席:
蔡樹軍--中國電子科技集團公司第十三研究所副所長
張乃千--蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
分會委員:
陳堂勝——中電集團首席科學家、中國電子科技集團公司第五十五研究所副總工程師
劉新宇--中科院微電子研究所副所長
劉建利--中興通訊股份有限公司功放總工
張進成--西安電子科技大學教授
陶國橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
S5: 第三代半導體固態紫外器件技術
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢,展現出巨大的應用潛力。本分會將重點兲注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料,高效量子結構設計及外延,以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的兲鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術,包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。分會面向全球廣泛征集優秀研究成果,并將邀請多名國際知名與家參加本次會議,力圖全面呈現第三代半導體紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新迚展。
征文方向:
AlN和其他紫外光電器件用新型襯底材料
紫外發光與探測材料的設計和外延生長
高Al組分AlGaN的p型摻雜
高效紫外發光器件
高靈敏度紫外探測與成像器件
紫外光源封裝與模組的光提取、熱管理及可靠性
紫外光源與探測器應用新進展
分會主席:
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
張 韻--中科院半導體研究所所長助理、研究員
分會委員:
劉國旭--易美芯光(北京)科技有限公司執行副總裁兼首席技術官
陸 海--南京大學教授
S6: 超寬禁帶半導體及其他新型半導體材料分會
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用,近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性,在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。本分會著重研討超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用,旨在搭建產業、學術、資本的高質量交流平臺,共同探討超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新趨勢,積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。
分會將邀請國內外知名專家參加本次會議,呈現超寬帶半導體及其它新型寬禁帶半導體材料與器件研究應用的最新迚展。
征文方向:
超寬禁帶半導體材料關鍵設備制造技術
超寬禁帶半導體材料制備技術及其物性研究
超寬禁帶半導體材料電力電子器件技術
超寬禁帶半導體材料光電子器件技術
其他新型半導體材料物性研究與應用技術
分會主席:
劉 明--中科院微電子所教授、中國科學院院士
張 榮--山東大學校長、南京大學教授
分會委員:
陶緒堂--山東大學晶體材料國家重點實驗室主任
王宏興--西安交通大學教授
徐 軍--同濟大學教授
SSLCHINA2017方向(同期會議)
P201-材料與裝備技術
P202-芯片、封裝與模組技術
P203-可靠性與熱管理技術
P204-驅動、智能與控制技術
P205-生物農業光照技術
P206-光品質與健康醫療照明技術
P207-新型顯示與照明技術
征文流程
1.作者提交論文擴展摘要(Extended Abstract)。
2.通知作者投稿錄用方式:口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3.作者依據組委會的錄用通知準備材料:
1)口頭報告:作者需準備論文與演示文件(PPT/PDF);2)POSTER:作者需準備論文與POSTER文件(組委會將對POSTER進行編號并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并按照編號在POSTER展示區域自行張貼)3)入刊會議論文集:作者需準備論文。作者需要根據論文模板準備論文全文。
注:
1)官方網站(http://www.ifws.org.cn/en/paper/)提供模板下載,請作者務必按照相應模板和時間要求準備材料,以便順利通過論文審核。
2)優質論文會被遴選在IEEE Xplore Digital Library發表,IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。
征文要求
1.基本要求:
1) 尚未在國內外公開刊物或其他學術會議上發表過的論文。
2) 主題突出,內容層次分明,數據準確,論述嚴謹,結論明確,采用法定計量單位。
2.摘要要求:
投稿者需按照組委會提供的模板編寫擴展摘要。
3.全文要求:
按照組委會提供的模板排版全文,論文全文格式要求為WORD,內容不超過4頁。
4.語言要求:
1) 作者須提交文體規范的英文摘要/POSTER/論文;2) 演講語言可以使用中文或英文,但必須用英文演示(PPT或PDF文檔)。
注:含有商業性宣傳內容的論文,不予安排在論壇演講。
征文摘要模板及征文通知下載:
IFWS2017-摘要模板-Abstract-Template.doc
IEEE版權協議書-IEEE-concent-form.doc
重要期限及提交方式
1.論文摘要提交截止日期:2017年6月15日
2.論文摘要錄用通知:2017年7月3日
3.論文全文提交截止日期:2017年9月15日
4.論文全文錄用通知:2017年9月30日
5.口頭報告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日:2017年10月15日
投稿請聯系:
白璐(Lu BAI)
電話:010-82387600-602
郵箱:papersubmission@china-led.net