我國氮化鎵基半導體激光器研究取得突破
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上傳人：未知 上傳時間： 2006-07-12 瀏覽次數： 37 |
該氮化鎵基激光器采用在藍寶石襯底上外延的多量子阱增益波導結構, 激射波長為410nm,條寬5μm,條長800μm,激射閾值50kA/cm2。
通過近三年上千爐的MOCVD材料生長實驗和上百次的器件工藝實驗，課題組艱苦攻關,積極創新，攻克了氮化鎵基激光器研究中材料生長、器件工藝、器件測試等一系列技術難題,將氮化鎵材料本底電子濃度降到小于5X1016/cm3,室溫電子遷移率達到850cm2/VS，進入世界先進行列。實現了AlGaN/GaN超晶格界面平整度和應力的控制，獲得了粗糙度小于1nm的激光器腔面。突破了氮化鎵基激光器的測試技術難題,研究開發了與該激光器配套的驅動技術,滿足了氮化鎵基激光器的測試要求。
氮化鎵基激光器是目前氮化鎵基光電子材料與器件領域國際上競爭最激烈,技術難度最大,最具挑戰性和標志性的研究方向，這種短波長半導體激光器的研發已經成為世界各國科學家研發的焦點和重點。
通過近三年上千爐的MOCVD材料生長實驗和上百次的器件工藝實驗，課題組艱苦攻關,積極創新，攻克了氮化鎵基激光器研究中材料生長、器件工藝、器件測試等一系列技術難題,將氮化鎵材料本底電子濃度降到小于5X1016/cm3,室溫電子遷移率達到850cm2/VS，進入世界先進行列。實現了AlGaN/GaN超晶格界面平整度和應力的控制，獲得了粗糙度小于1nm的激光器腔面。突破了氮化鎵基激光器的測試技術難題,研究開發了與該激光器配套的驅動技術,滿足了氮化鎵基激光器的測試要求。
氮化鎵基激光器是目前氮化鎵基光電子材料與器件領域國際上競爭最激烈,技術難度最大,最具挑戰性和標志性的研究方向，這種短波長半導體激光器的研發已經成為世界各國科學家研發的焦點和重點。
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