迄今為止，其他研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)報(bào)道的UV LED的波長(zhǎng)為210nm，但其輸出卻僅為0.02μW。這一次，這一研究團(tuán)隊(duì)不僅推出了227.5nm UV LED原型，還成功開(kāi)發(fā)出波長(zhǎng)為253nm輸出1mW、波長(zhǎng)為261nm輸出1.65mW及波長(zhǎng)273nm輸出為3.3mW的UV LED原型。根據(jù)這一研究團(tuán)隊(duì)，這些UV LED的輸出與電燈泡使用的藍(lán)光、紅光、白光LED的輸出實(shí)質(zhì)上相當(dāng)，并滿足殺菌燈所需的輸出水平。

　　由RIKEN與崎玉大學(xué)組成的研究團(tuán)隊(duì)在制備UV LED時(shí)使用的是AlGaN半導(dǎo)體材料，先在藍(lán)寶石襯底上形成AlN層，然后再依次疊加n型AlGaN層、AlGaN發(fā)光層(三量子阱結(jié)構(gòu))和p型AlGaN層。另外，研究團(tuán)隊(duì)改進(jìn)了在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)AlN層的方法，新方法通過(guò)交替使用兩種不同的生長(zhǎng)方法形成了多個(gè)AlN層：首先，在間歇供應(yīng)氨氣時(shí)持續(xù)提供Al材料生成一層AlN層，然后再通過(guò)持續(xù)供應(yīng)氨氣和Al來(lái)生成另一層AlN層。

　　這一生長(zhǎng)方法叫做氨脈沖式供應(yīng)多層生長(zhǎng)法(Ammonia pulsed supply multiple layer growth method)，其優(yōu)點(diǎn)在于可降低AlN層的線位錯(cuò)密度、增加晶體層平滑度，并減少因晶體變形引起的裂縫。由于AlN層的質(zhì)量及平滑度得到了提升，在AlN層上形成的其他層的質(zhì)量及平滑度也跟著得到提升，AlGaN發(fā)光層的輸出也因此比以前提高了近50倍。