近年來，隨著LED生產技術發展一日千里，令其發光亮度提高和壽命延長，加上生產成本大幅降低，迅速擴大了LED應用市場，如消費產品、訊號系統及一般照明等，于是其全球市場規模快速成長.2003年全球LED市場約44.8億美元(高亮度LED市場約27億美元)，較2002年成長17.3%(高亮度LED市場成長47%)，乘著手機市場繼續增長之勢，預測2004年仍有14.0%的成長幅度可期。

　　目前手機、數字相機、PDA等背光源所使用之白光LED采用藍光單芯片加YAG螢光而成.隨著手機閃光燈、大中尺寸(NB、LCD-TV等)顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統之應用逐漸增多.末來再擴展至用于一般照明系統設備，采用白光LED技術之大功率(HighPower)LED市場將陸續顯現.在技術方面，現時遇到最大挑戰是提升及保持亮度，若再增強其散熱能力，市場之發展深具潛力。

　　ASM在研發及生產自動化光電組件封裝設備上擁有超過二十年經驗，業界現行有很多種提升LED亮度方法，無論從芯片及封裝設計層面，至封裝工藝都以提升散熱能力和增加發光效率為目標.在本文中，就LED封裝工藝的最新發展和成果作概括介紹及討論.

　　芯片設計

　　從芯片的演變歷程中發現，各大LED生產商在上游外延技術上不斷改進，如利用不同的電極設計控制電流密度，利用ITO薄膜技術令通過LED的電流能平均分布等，使LED芯片在結構上都盡可能產生最多的光子.再運用各種不同方法去抽出LED發出的每一粒光子，如生產不同外形的芯片;利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取光效率，研制擴大單一芯片表面尺寸(>2mm2)增加發光面積，更有利用粗糙的表面增加光線的透出等等.有一些高亮度LED芯片上p-n兩個電極的位置相距拉近，令芯片發光效率及散熱能力提高.而最近已有大功率LED的生產，就是利用新改良的激光溶解(Laserlift-off)及金屬黏合技術(metalbonding)，將LED外延晶圓從GaAs或GaN長晶基板移走，并黏合到另一金屬基板上或其它具有高反射性及高熱傳導性的物質上面，幫助大功率LED提高取光效率及散熱能力.

　　封裝設計

　　經過多年的發展，垂直LED燈(φ3mm、φ5mm)和SMD燈(表面貼裝LED)已演變成一種標準產品模式.但隨著芯片的發展及需要，開拓出切合大功率的封裝產品設計，為了利用自動化組裝技術降低制造成本，大功率的SMD燈亦應運而生.而且，在可攜式消費產品市場急速的帶動下，大功率LED封裝體積設計也越小越薄以提供更闊的產品設計空間。

　　為了保持成品在封裝后的光亮度，新改良的大功率SMD器件內加有杯形反射面，有助把全部的光線能一致地反射出封裝外以增加輸出流明.而蓋住LED上圓形的光學透鏡，用料上更改用以Silicone封膠，代替以往在環氧樹脂(Epoxy)，使封裝能保持一定的耐用性.

　　封裝工藝及方案

　　半導體封裝之主要目的是為了確保半導體芯片和下層電路間之正確電氣和機械性的互相接續，及保護芯片不讓其受到機械、熱、潮濕及其它種種的外來沖擊.選擇封裝方法、材料和運用機臺時，須考慮到LED外延的外形、電氣/機械特性和固晶精度等因素.因LED有其光學特性，封裝時也須考慮和確保其在光學特性上能夠滿足。

　　無論是垂直LED或SMD封裝，都必須選擇一部高精度的固晶機，因LED芯片放入封裝的位置精準與否是直接影響整件封裝器件發光效能.如圖1示，若芯片在反射杯內的位置有所偏差，光線未能完全反射出來，影響成品的光亮度.但若一部固晶機擁有先進的預先圖像辨識系統(PRSystem)，盡管品質參差的引線框架，仍能精準地焊接于反射杯內預定之位置上。

　　一般低功率LED器件(如指示設備和手機鍵盤的照明)主要是以銀漿固晶，但由于銀漿本身不能抵受高溫，在提升亮度的同時，發熱現象也會產生，因而影響產品.要獲得高品質高功率的LED，新的固晶工藝隨之而發展出來，其中一種就是利用共晶焊接技術，先將芯片焊接于一散熱基板(soubmount)或熱沉(heatsink)上，然后把整件芯片連散熱基板再焊接于封裝器件上，這樣就可增強器件散熱能力，令發光功率相對地增加.至于基板材料方面，硅(Silicon)、銅(Copper)及陶瓷(Ceramic)等都是一般常用的散熱基板物料.