采用的基片根據LED的發光波長不同而區分使用。如果是藍色LED和白色LED等GaN類半導體材料的LED芯片，則使用藍寶石、SiC和Si等作為基片，如果是紅色LED等采用AlInGaP類材料的LED芯片，則使用GaAs等作為基片。

　　因LED發光波長而使用不同基片的原因是為了選擇與LED發光部分——半導體結晶的晶格常數盡量接近的晶格常數的廉價基片材料。這樣做晶格常數的差距(晶格失配)就會縮小，在半導體層中阻礙發光的結晶缺陷的可能性就會減少。而且能降低LED芯片的單價。另外，藍紫色半導體激光器等電流密度和光輸出密度較大的元件，則采用昂貴的GaN基片。GaN基片還用于部分藍色LED。

　　底板剝離方法示例

　　歐司朗的做法是在藍寶石底板上形成GaN類結晶層，粘帖金屬反射膜，然后再粘帖作為支持底板的Ge晶圓。之后，利用激光照射溶解掉GaN類結晶層與藍寶石底板的界面部分，剝離藍寶石底板。

　　近年來，為了增加從LED芯片中提取光線，在基片上形成半導體結晶層后，將基片張貼到其他基片上的技術已經實用化。在粘貼到其他基片上時，與半導體結晶層之間的界面上設置了光的反射層。反射層具有反射發光層朝向基片側的光線，將其提取到LED表面側的效果。除了已用于紅色LED外，最近藍色LED等GaN類半導體LED芯片也擴大了采用。采用GaN類半導體材料的LED還有不張貼基片，使之保持剝離狀態的方法。

　　這些方法在外形尺寸較大的LED芯片上較為有效。大尺寸芯片存在著芯片內發生的光射出芯片外時的光徑變長，導致光在這一過程中發生衰減的問題。該問題可通過張貼基片解決。