半導體照明被譽為第三代照明技術并在世界范圍內引起廣泛的關注，其核心技術和競爭領域主要是在整個產業鏈的上游，即外延和芯片。近年來，半導體照明功率型LED芯片技術的研究和開發得到長足的發展，半導體照明也將在未來幾年內得到廣泛的應用。在所有可實現半導體照明的相關材料中，氮化鎵（GaN）基材料是最重要的，也是最有希望真正意義上實現半導體照明的材料。GaN基發光二極管（Light-Emitting Diode, LED）材料與器件是當前研究開發和商業化的重點與熱點。

　　國外半導體照明芯片技術的發展現狀

　　目前，Cree、Nichia、Lumileds、Osram等少數幾家國外公司是國際上主流的照明級LED芯片及器件制造商，他們具有各自獨特的外延和芯片技術路線，各家所生產的芯片產品封裝白光器件的發光效率普遍超過100lm/W（見表1）。下面簡要地介紹當前各家公司的工藝技術路線和產品現狀。

　　美國Cree公司是目前世界上采用SiC作為襯底材料制造藍光發光二極管用外延片和芯片的專業公司之一，其在不斷改善外延品質及提高內量子效率的同時，采用了薄膜（Thin-film）芯片技術大幅度提升產品亮度，薄膜芯片技術即利用襯底轉移技術將發光層倒裝在Si襯底上，薄膜芯片技術可以有效地解決芯片的散熱問題和提高取光效率。Cree公司的功率LED芯片產品EZ系列采用薄膜芯片技術已經達到業界領先的光效水平，據2009年底的報道顯示，Cree冷白光LED器件研發水平已經達到186lm/W，這是功率型白光LED有報道以來的最好成績。

　　日本Nichia公司是世界上最早的半導體白光生產廠商，技術水平始終處于國際領先的地位。在藍光芯片的技術路線上，Nichia采用圖形化藍寶石襯底外延生長技術結合ITO透明導電層芯片工藝，產品性能表現優越，特別是小功率芯片，最新的報道甚至達到245lm/W的性能指標。Nichia的功率型芯片也是基于正裝結構，2008年Nichia公司宣布其功率LED產品光效達到 145lm/W，芯片規格為1mm×1mm。