腐蝕時間對藍寶石襯底上外延生長GaN質量的影響
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上傳人：趙廣才,李培咸,郝躍 上傳時間： 2011-07-22 瀏覽次數： 277 |
| 作者 | 趙廣才,李培咸,郝躍 |
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| 單位 | 西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件重點實驗室; |
| 分類號 | TN304 |
| 發表刊物 | 《發光學報》 |
| 發布時間 | 2010年 |
引言
與第一代半導體材料鍺、硅以及第二代半導體材料砷化鎵、磷化銦相比,寬禁帶半導體材料GaN由于其在短波發光器件所取得的舉世矚目的進展及其在制作光電子器件和高頻、高溫大功率器件方面所具有的廣闊前景,已經成為半導體領域的研究熱點。它與金剛石、碳化硅等寬禁帶半導……
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