雙波長InGaN/GaN多量子阱發光二極管的光電特性
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上傳人：陳獻文.吳乾,李述體,鄭樹文,何苗,范廣涵,章勇 上傳時間： 2011-09-05 瀏覽次數： 159 |
| 作者 | 陳獻文.吳乾,李述體,鄭樹文,何苗,范廣涵,章勇 |
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| 單位 | 華南師范大學光電子材料與技術研究所,廣州鴻利光電股份有限公司 |
| 分類號 | O472.8 |
| 發表刊物 | 光子學報 |
| 發布時間 | 2011年02期 |
引言
近年來,GaN基白光發光二極管(Light-Emitting Diode,LED)因其使用壽命長、高效節能、綠色環保等優點被譽為繼白熾燈、熒光燈、氣體放電之后的第四代照明光源,被廣泛應用于液晶顯示(Liquid Crystal Display,LCD)、手機、數碼相機等領域.隨著以白光LED為主的半導體照明產……
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