藍紫光InGaN多量子阱激光器
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上傳人：李德堯,張書明等 上傳時間： 2011-09-09 瀏覽次數： 262 |
| 作者 | 李德堯,張書明,王建峰,陳俊,陳良惠,種明,朱建軍,趙德剛,劉宗順,楊輝,梁駿吾 |
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| 單位 | 中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點聯合實驗室 |
| 分類號 | TN248 |
| 發表刊物 | 中國科學(E輯:技術科學) |
| 發布時間 | 2007年03期 |
自從第一臺InGaN多量子阱激光器問世以來[1],由于其在高密度光信息存儲、顯示、激光打印和照明等領域潛在的應用前景而受到廣泛關注.近幾年,許多大學和公司紛紛集中力量研究GaN基光電子材料和器件,致使在諸如GaN外延膜生長、GaN的n型和p型摻雜、InGaN多量子阱生長[2,3],以及……
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