GaN LED量子阱光發射模型
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上傳人：鄒曉,徐靜平,陳衛兵 上傳時間： 2011-09-16 瀏覽次數： 149 |
| 作者 | 鄒曉,徐靜平,陳衛兵 |
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| 單位 | 華中科技大學電子科學與技術系 |
| 分類號 | TN312.8 |
| 發表刊物 | 華中科技大學學報(自然科學版) |
| 發布時間 | 2005年11期 |
Ⅲ-V族化合物InN,GaN,AlN及其三元合金得到廣泛應用,其中發光二極管(LED)是重要的應用領域.GaN LED一般采用InGaN作為有源層的量子阱結構,其發光機制歸于被局限在阱內的電子和空穴復合產生光子[1~3].但目前有關InGaN/GaN量子阱發光的模型未見報道.本文從電流注入、載流子俘獲……
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