摘要：使用脈沖激光沉積(PLD)方法在石英(SiO2)和單晶Si(111)基底上制備了具有高c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜。測(cè)試結(jié)果顯示:在30～70sccm氧氣流量范圍內(nèi),氧氣流量50sccm時(shí)制備的ZnO薄膜具有較好的結(jié)晶質(zhì)量、較高的光學(xué)透過率(≥80%)、較高的氧含量(～40.71%)、較快的生長(zhǎng)速率(～252nm/h)和較好的發(fā)光特性:450～580nm附近發(fā)射峰最弱,同時(shí)～378nm附近的紫外發(fā)光峰最強(qiáng),表明薄膜材料中含有較少的氧空位等缺陷。

　　1引言ZnO薄膜材料具有優(yōu)異的光電、壓電、電光、聲光等化學(xué)物理性能,因而在紫外發(fā)射器件、紫外激光器件、壓電器件、太陽(yáng)能電池、透明導(dǎo)電膜等諸多方面具有廣泛的應(yīng)用前景[1,2]。目前,人們嘗試采用多種方法制備ZnO,如化學(xué)氣相沉積[3,4]、磁控濺射[5,6]、脈沖激光沉積[7～9]等......

　　1、引言

　　2、實(shí)驗(yàn)

　　3、結(jié)果與討論

　　4、結(jié)論