單晶硅

　　單晶硅主要有直拉和區熔

　　區熔(NTD)單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5″- Φ4″。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2″-Φ8″。

　　各項參數可按客戶要求生產。

　　多晶硅

　　區熔用多晶硅：可生產直徑Φ40mm-Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平>300Ω.㎝，受主水平>3000Ω.㎝，碳含量<2×1016at/㎝3 。各項參數可按客戶要求生產。

　　切磨片

　　切磨片可生產直徑范圍為：Φ1.5″- Φ6″。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數符合并優于國家現行標準，并可按客戶要求生產。

　　拋光片

　　拋光片可生產直徑范圍為：Φ2″- Φ6″，厚度公差、總厚度公差、翹曲度、平整度、電阻率等參數符合并優于國家現行標準，并可按客戶要求生產。

　　高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求99.999%。單晶硅太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構和生產工藝已定型，產品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產成本，現在地面應用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經過復拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。

　　單晶硅是轉化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料;在高科技領域，航天飛機、宇宙飛船、人造衛星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。

　　在科學技術飛速發展的今天，利用單晶硅所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始?，F在，國外的太陽能光伏電站已經到了理論成熟階段，正在向實際應用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。

　　直拉硅單晶廣泛應用于集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用于大功率半導體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。

　　區熔(NTD)單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5″- Φ4″。

　　直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2″-Φ8″。

　　硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉(CZ)單晶硅和區熔(FZ)單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用于微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為硅片引起的第一次革命。區熔單晶硅是利用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個方面。

　　1、制作電力電子器件

　　電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為“硅片引起的第二次革命”，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅制作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(PIC)等，廣泛應用于高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。制作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。

　　2、制作高效率太陽能光伏電池

　　太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也于2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速增長的態勢，年平均增長速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的增長速度。

　　晶體硅是目前應用最成熟，最廣泛的太陽能電池材料，占光伏產業的85%以上。美國SunPower公司最近開發出利用區熔硅制作太陽能電池技術，其產業化規模光電轉換效率達到20%，為目前產業化最高水平，其綜合性價比超過直拉單晶硅太陽能電池(光電轉換效率為15%)和多晶硅太陽能電池(光電轉換效率為12%)。這項新技術將會極大地擴展區熔硅單晶的市場空間。據估計，到2010年，其總的市場規模到將達到電力電子需求規模，這是本項目新的市場機會。

　　3、制作射頻器件和微電子機械系統(MEMS)

　　區熔單晶還可以用來制作部分分立器件。另外采用高阻區熔硅制造微波單片集成電路(MMIC)以及微電子機械系統(MEMS)等高端微電子器件，被廣泛應用于微波通訊、雷達、導航、測控、醫學等領域，顯示出巨大的應用前景。這也是區熔單晶的又一個新興的市場機會。

　　4、制作各種探測器、傳感器，遠紅外窗口

　　探測器、傳感器是工業自動化的關鍵元器件，被廣泛應用于光探測、光纖通訊、工業自動化控制系統中以及醫療、軍事、電訊、工業自動化等領域。高純的區熔硅單晶是制作各種探測器、傳感器的關鍵原材料，其市場增長趨勢也很明顯。