2012，襯底也瘋狂
摘要： 硅襯底取得突破性進展，SiC襯底芯片光效快速提升，而藍寶石襯底因產能過剩價格下跌而備顯競爭力。2012，襯底也瘋狂。新世紀LED網評測室特對LED襯底2012年三雄逐鹿天下的歷程進行盤點，以供參考。
2012年12月15日，東芝宣布其硅基白光LED開始量產；隨后，Cree在同月18日也發布消息稱，其基于SC³技術的LED芯片產品XLamp MK-R LED實現量產，光效為200lm/w，樹立業界全新里程碑；而一直居于LED襯底主流地位的藍寶石，價格早已降至10美元/片，并且已出現產能過剩隱憂。硅襯底取得突破性進展，SiC襯底芯片光效快速提升，而藍寶石襯底因產能過剩價格下跌而備顯競爭力。2012，襯底也瘋狂。以下為新世紀LED網評測室對LED襯底2012年三雄逐鹿天下的歷程進行的盤點，以供參考。
硅襯底
可使芯片的制造成本降低70%
硅晶圓基板芯片與傳統材料芯片相比具有明顯優點。硅在半導體行業應用廣泛，可以滿足較大的晶圓直徑生產要求，同時硅材料具有更好的熱特性和較低廉的價格，因此硅晶圓基板芯片將成為未來LED照明市場更具吸引力和價格優勢的選擇。
而早在2012年2月10日——英國普萊思半導體(Plessey)也透露準備開始生產高亮度LED，制造中將采用劍橋大學所研究的一項備受關注的技術。Plessey計劃在今年底前生產出白光效率為150流明/瓦的硅基氮化鎵LED，其性能將可與傳統的藍寶石襯底或碳化硅襯底LED相媲美。
Plessey指出，劍橋大學研究的這項硅基氮化鎵LED技術的主要優勢在于采用了一種更薄的半導體層，可以解決芯片結構中硅襯底與活性氮化鎵層之間的晶格不匹配問題。歐司朗和Azzurro通過使用相對較厚的緩沖材料，如多層氮化鋁，已經解決了這個晶格不匹配問題，而劍橋研究團隊能夠使用一種更薄的半導體層來制造出高品質LED，這將降低總的生產成本。
2012年2月8日——德國歐司朗公司(OSRAM)光電半導體研發人員制造出高性能藍白光LED 原型硅芯片，氮化鎵發光材料層被置于直徑為150毫米硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍寶石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明質量和效率。目前，該款LED芯片已經進入試點階段，在實際條件下接受測試。歐司朗公司表示首批硅晶圓LED芯片有望在兩年內投放市場。該款新型高性能藍白光LED的各項技術指標也可與傳統藍寶石基板相媲美，經測試藍光UX:3芯片在3.15V電壓下，照明亮度可達634mW，相當于58%的轉化效率，是1平方毫米芯片350毫安電流下LED照明獲得的較為出色的數值。
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