2012年5月10日——普瑞光電公司與東芝公司宣布，在年初兩家公司達(dá)成合作協(xié)議短短幾個(gè)月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級(jí)8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫米，在電壓低于3.1V電流350mA時(shí)發(fā)射功率達(dá) 614mW。

　　“我們用硅襯底制作芯片，一旦成功，意味著芯片的制造成本可以降低70%。”普瑞光電商業(yè)發(fā)展副總裁柴燕博士對(duì)于未來硅襯底的市場前景非常樂觀。

　　2012年6月12日——晶能光電(江西)有限公司新一代硅基大功率LED芯片產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在廣州香格里拉大酒店舉行。晶能光電此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在內(nèi)的四款硅基大功率芯片，發(fā)光效率已超過120lm/W。這是晶能光電繼3年前實(shí)現(xiàn)硅基小功率LED芯片規(guī)模化量產(chǎn)以后，在硅基LED技術(shù)領(lǐng)域取得的又一重大進(jìn)展。

　　晶能光電CEO王敏透露，公司計(jì)劃在12個(gè)月內(nèi)把目前2寸的生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到6寸，6寸硅基LED計(jì)劃在2013年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　2012年7月24日，愛思強(qiáng)股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應(yīng)器平臺(tái)提供5x200 mm硅基氮化鎵生長專用設(shè)備。

　　愛思強(qiáng)表示硅基氮化鎵技術(shù)是很多新興功率電子器件市場領(lǐng)域的首選技術(shù)，同時(shí)在未來低成本高性能的高亮度LED產(chǎn)品制造方面擁有良好的前景。芯片尺寸以及材料對(duì)于制造工藝的成本效益至關(guān)重要，因此過渡到200 mm的標(biāo)準(zhǔn)硅芯片，將以其獨(dú)特的成本優(yōu)勢成為未來發(fā)展的合理趨勢。

　　2012年12月15日——東芝公司宣布將開始銷售白色LED封裝產(chǎn)品，東芝與Bridgelux, Inc.共同開發(fā)出在200mm(8英寸)硅晶圓上制造氮化鎵LED的工藝，而東芝目前已將該工藝運(yùn)用到日本北部一家分立器件制造廠——加賀東芝電子公司的新生產(chǎn)線上。這意味著8寸硅基氮化鎵LED芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　除此之外，飛利浦、三星也均在硅襯底方面展開研究，而三星更是一開始就瞄準(zhǔn)了8英寸大尺寸的直接入手……可以預(yù)言，由硅襯底引發(fā)的半導(dǎo)體照明核心技術(shù)的競爭正在全球掀起。

　　【導(dǎo)航】

　　第一頁：硅襯底——可使芯片的制造成本降低70%

　　第三頁：碳化硅襯底——將照明級(jí)LED帶入性價(jià)比的新紀(jì)元

　　第六頁：藍(lán)寶石——演繹了一出價(jià)格的“速度與激情”

　　第七頁：獨(dú)家觀點(diǎn)

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