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2012，襯底也瘋狂

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2012-12-30 作者：卡茨來源：新世紀LED網瀏覽量：網友評論： 0 條

摘要： 硅襯底取得突破性進展，SiC襯底芯片光效快速提升，而藍寶石襯底因產能過剩價格下跌而備顯競爭力。2012，襯底也瘋狂。新世紀LED網評測室特對LED襯底2012年三雄逐鹿天下的歷程進行盤點，以供參考。

　　2012年4月13日——科銳公司宣布，其白光功率型LED光效再度刷新行業最高紀錄，達到254 lm/W。科銳方面表示，其第三代照明級XLamp® LED改采用的科銳創新性SC³技術平臺(即第三代碳化矽技術)，是科銳取得這一研發成果的核心關鍵。

　　科銳聯合創始人之一、先進光電事業部總監John Edmond表示：“科銳實驗室的這一創新性突破再度樹立起整個LED產業發展的里程碑。高性能的LED不僅可以幫助實現更佳創意和更好效果的LED照明應用，同時還能夠大幅度及有效地降低LED設計與整體解決方案的成本。”

　　2012年4月16日——科銳公司宣布推出首款基于科銳SC³技術平臺的EasyWhite® LED 陣列。與上一代產品相比，新型XLamp® MT-G2 LED實現了25%亮度提升，滿足廣泛高流明應用的要求。

XLamp® MT-G2 LED

　　據稱，XLamp® MT-G2 LED采用先進的科銳EasyWhite®技術，能夠提供業界領先的光色一致以及卓越的光學控制，暖白光(3,000 K)在85 °C條件下可提供高達 2,100 lm 的光通量。XLamp® MT-G2 LED在LED燈具設計中可作為單顆元器件使用，因此能夠幫助照明生產商方便有效地模擬和采用原有照明產品的外觀，簡化產品設計和生產制造。XLamp® MT-G2 LED采用8.9 mm x 8.9 mm的封裝尺寸，能夠提供2,700 K 至5,000 K之間的2階和4階EasyWhite® 色溫分檔選擇。該款新型LED包括最小顯色指數(CRI)為80和90的產品選擇，并且能夠提供包括高壓在內的多種電壓選擇，因此能夠采用更小的驅動以降低系統成本。

　　2012年9月5日——美國科銳公司(Cree)開發出了直徑為150mm(6英寸)、晶型結構為4H的n型SiC外延晶圓(英文發布資料)，適用于制造功率半導體、通信部件及照明部件等。

　　此次開發的晶圓厚100μm，可使用現有的150mm晶圓的設備來制造。開發品具有足夠的均質性，可以穩定供貨，目前已開始銷售。科銳稱在100mm(4英寸)SiC晶圓方面也有著良好的銷售業績，今后將繼續致力于SiC晶圓的大口徑化。

　　2012年9月19日——科銳公司(Nasdaq:CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創新。

　　科銳功率器件與射頻(RF)首席技術官 John Palmour表示：“碳化硅雙極型(Bipolar)器件的發展長期以來受制于基面位錯引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和可關斷晶閘管(GTO)等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩定性。這一最新成果有助于消除遲滯高功率器件商業化的阻礙。”

　　2012年9月23日——科銳公司宣布推出 XLamp® XP-E2 LED，與現有XLamp® XP-E LED和XLamp® XP-G LED相比，能夠提供更高光效和更高lm/$，進一步降低系統成本。　XLamp® XP-E2 LED基于科銳革新性的SC3技術TM新一代LED平臺。在冷白光(6000K)、350 mA和 85°C條件下，光效高達128 lm/W。在冷白光(6000K)、350 mA和 25°C條件下，光效高達143 lm/W。