5、尾部成長（Tail Growth）

　　當晶體成長到固定（需要）的長度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現象。

　　切割：

　　晶棒長成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片，圓片，是半導體元件"芯片"或"芯片"的基材，從拉伸長出的高純度硅元素晶柱（Crystal Ingot）上，所切下之圓形薄片稱為外延片（外延片）。

　　磊晶：

　　砷化鎵磊晶依制程的不同，可分為LPE（液相磊晶）、MOCVD（有機金屬氣相磊晶）及MBE（分子束磊晶）。LPE的技術較低，主要用于一般的發光二極體，而MBE的技術層次較高，容易成長極薄的磊晶，且純度高，平整性好，但量產能力低，磊晶成長速度慢。MOCVD除了純度高，平整性好外，量產能力及磊晶成長速度亦較MBE為快，所以現在大都以MOCVD來生產。

　　其過程首先是將GaAs襯底放入昂貴的有機化學汽相沉積爐（簡MOCVD,又稱外延爐），再通入III、II族金屬元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸氣與非金屬（V或VI族元素）的氫化物（或烷基物）氣體，在高溫下，發生熱解反應，生成III-V或II-VI族化合物沉積在襯底上，生長出一層厚度僅幾微米（1毫米=1000微米）的化合物半導體外延層。長有外延層的GaAs片也就是常稱的外延片。外延片經芯片加工后，通電就能發出顏色很純的單色光，如紅色、黃色等。不同的材料、不同的生長條件以及不同的外延層結構都可以改變發光的顏色和亮度。其實，在幾微米厚的外延層中，真正發光的也僅是其中的幾百納米（1微米=1000納米）厚的量子阱結構。

　　反應式：Ga（CH3）3+PH3=GaP+3CH4