藍(lán)寶石襯底上磁控濺射法室溫制備外延ZnO薄膜
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上傳人：周陽,仇滿德等 上傳時(shí)間： 2011-09-05 瀏覽次數(shù)： 57 |
| 作者 | 周陽,仇滿德,付躍舉,邢金柱,霍驥川,彭英才,劉保亭 |
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| 單位 | 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,河北大學(xué)化學(xué)與環(huán)境科學(xué)學(xué)院,河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院 |
| 分類號(hào) | O484.1 |
| 發(fā)表刊物 | 人工晶體學(xué)報(bào) |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2009年01期 |
引言
ZnO是直接帶隙寬禁帶II-VI族半導(dǎo)體材料(a=0.3249 nm,c=0.5207 nm),具有六角纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。室溫下的禁帶寬度約為3.37 eV,與同類半導(dǎo)體GaN、ZnS相比,ZnO具有更高的自由激子結(jié)合能,激子束縛能為60 meV,可以實(shí)現(xiàn)室溫下的激子發(fā)射。ZnO具有良好的光學(xué)、壓電性能,摻雜后可……
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