退火對用PLD法制備ZnO薄膜的發光影響
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上傳人：魏顯起,王勇杰,張仲 上傳時間： 2011-09-06 瀏覽次數： 201 |
| 作者 | 魏顯起,王勇杰,張仲 |
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| 單位 | 濟南大學物理科學學院 |
| 分類號 | O484.41 |
| 發表刊物 | 紅外與毫米波學報 |
| 發布時間 | 2011年03期 |
ZnO是一種直接和寬帶隙(在室溫下為3.37eV)半導體材料,在常溫下的激子束縛能為60meV.在各類電子和短波光學器件方面有廣泛的應用,特別在制備低激發能激光方面具有很大的優越性[1～3],是近幾年國內外研究的熱點.為了制備性能良好的器件,首先要制備高質量、低缺陷濃度的……
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