波蘭Top GaN公司制作GaN單晶襯底
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上傳人：Tom 上傳時間： 2004-07-12 瀏覽次數： 172 |
TopGaN采用相當極端的生長條件制作GaN單晶襯底，它采用15000atm壓力和1600攝氏度的高溫。每次可以生產20-30片直徑為10mm的晶片，其位錯密度只有大約100cm-2。該項技術并不是為了生長大批量的外延片，而是用于某些特殊用途，例如腔為15 µm x 500 µm，功率為1.89 W的激光二極管已經由該襯底做出，目前是功率最大的氮化物激光二極管。然而，TopGaN還不能將這種技術擴展到2英寸片。作為替代，它開始用MOVPE技術在2英寸藍寶石襯底上生長5um厚的GaN層，采用側向外延(ELOG)技術。
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