圖１

　　而且，佛吉尼亞大學還發現，對于電流在P-GaN里橫向流動，即，橫向結構的LED芯片，電流擁塞會造成額外的量子效率下降。

(B) 芯片層面（詳見“中國半導體照明產業發展年鑒（2008））：必須滿足下面條件：有效的向LED芯片引入大電流的方法，電流分布均勻，沒有電流擁塞，芯片的散熱性能優良。

　　3維垂直結構LED芯片比較容易滿足上述的條件，一款3維垂直結構LED芯片的電極如下圖所示：

　　在上圖中，有4個條形電極，因此，有4個電流引入點，即，電流從N金屬分別通過4個電流引入點流入4個條形電極，并進而流入LED薄膜，從每一個電流引入點引入的電流等于總電流的1/4。因此，在電流引入點附近的電流密度較小，不容易在電流引入點的附近產生電流擁塞。對于更大的電流，可以采用多個條形電極，而不會有太多的擋光。

　　3維垂直結構的LED芯片在把大電流引入芯片方面具有優勢。

（C）封裝層面：必須把大電流產生的熱量有效的散掉。

　　總之，為了盡快的推進LED照明的進程，并滿足LED照明對LED芯片的需求，一方面要考慮到芯片設備廠和原材料廠的擴產的速度，另一方面要用盡量少的投資增加LED芯片的產能，采用大電流驅動的芯片能更好的滿足這兩方面的需求，而3維垂直結構的LED芯片更適合大電流驅動！