圖7.芯片在5mA下點亮的表面形貌

　　表1給出了芯片的光電性能，從表中可以看到在20mA點亮后，雖然粗化后的芯片正向電壓從3.3V升到3.7V，反向電流由0.01uA升至0.3uA，但是其亮度由未粗化的51mcd升高到粗化后的64mcd，經過外延粗化后，芯片的光提取效率提高24%，其主要原因是P型GaN表面粗糙度增大，減弱光在GaN材料內部的多次反射，折射及吸收;而芯片的正向電壓的提高可能是由于P型GaN表面粗糙度增大，同時表面透明電極較薄，導致透明電極的不連續性，從而影響電流的傳輸，使芯片的正向電壓有較大的提升;反向電流的提高是由于長時間的高溫腐蝕可能會造成外延片局部腐蝕嚴重而產生漏電現象，因此有待于進一步優化腐蝕條件或者采用較厚的ITO透明電極進行測試。

表1.芯片的光電性能參數比較

　　結 論

　　1.采用熱的85%H3PO4可以濕法粗化GaN，優化的腐蝕條件為：溫度：195 ℃;時間：5分鐘。

　　2.由于P型GaN與N型GaN的極性差異，導致P型比N型GaN較難粗化。

　　3.濕法粗化后的GaN基LED芯片，亮度提高了24%，但是正向電壓從3.3V提高到3.7V，這有待于采用ITO作為透明電極進一步實驗。

　　參考文獻 :

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　　作者簡介:

　　王立達，1979年生，畢業于大連理工大學電化學工程專業，從事半導體發光二極管的研究開發工作。