藍寶石晶棒供不應求的主要原因在于MOCVD的瘋狂擴張，而并不是 LED終端產品需求的增加。由于藍寶石晶棒、基板的緊缺，MOCVD機器只有不到50%的能夠開工，MOCVD的過剩中短期內將催高藍寶石晶棒、基板價格的價格，造成終端產品價格的上漲，降低磊晶廠的毛利率。從長期看，藍寶石晶棒、基板的緊缺必將起到大浪淘沙的作用，一部分芯片質量相對不高，成本相對較高的外延片、芯片企業將倒在普通照明市場打開之前。

　　藍寶石晶體的生長方法常用的有兩種:

　　1:柴氏拉晶法(Czochralski method),簡稱CZ法.先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯，再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上因溫度差而形成過冷。于是熔湯開始在晶種表面凝固并生長和晶種相同晶體結構的單晶。晶種同時以極緩慢的速度往上拉升，并伴隨以一定的轉速旋轉，隨著晶種的向上拉升，熔湯逐漸凝固于晶種的液固界面上，進而形成一軸對稱的單晶晶錠.

　　2:凱氏長晶法(Kyropoulos method),簡稱KY法,大陸稱之為泡生法.其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類似，先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯，再以單晶之晶種(SeedCrystal，又稱籽晶棒)接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上開始生長和晶種相同晶體結構的單晶，晶種以極緩慢的速度往上拉升，但在晶種往上拉晶一段時間以形成晶頸，待熔湯與晶種界面的凝固速率穩定后，晶種便不再拉升，也沒有作旋轉，僅以控制冷卻速率方式來使單晶從上方逐漸往下凝固，最后凝固成一整個單晶晶碇.

　　晶體提拉法

　　晶體提拉法(crystal pulling method) 由J .Czochral ski 于1918 年發明,故又稱“丘克拉斯基法”,簡稱CZ 提拉法,是利用籽晶從熔體中提拉生長出晶體的方法,能在短期內生長出高質量的單晶。這是從熔體中生長晶體最常用的方法之一。其優點是: (1) 在生長的過程中,可方便地觀察晶體生長的狀況; (2) 晶體在熔體表面處生長,不與坩堝接觸,能顯著地減小晶體的應力,防止坩堝壁的寄生成核; (3) 可以方便地運用定向籽晶和“縮頸”工藝,使“縮頸”后籽晶的位錯大大減少,降低擴肩后生長晶體的位錯密度,從而提高晶體的完整性 。其主要缺點是晶體較小,直徑最多達約51～76 mm。.

　　泡生法

　　泡生法( Kyropoulos method) 于1926 年由Kyropoul s 發明,經過科研工作者幾十年的不斷改造和完善,目前是解決晶體提拉法不能生產大晶體的好方法之一。其晶體生長的原理和技術特點是:將晶體原料放入耐高溫的坩堝中加熱熔化,調整爐內溫度場,使熔體上部處于稍高于熔點的狀態;使籽晶桿上的籽晶接觸熔融液面,待其表面稍熔后,降低表面溫度至熔點,提拉并轉動籽晶桿,使熔體頂部處于過冷狀態而結晶于籽晶上,在不斷提拉的過程中,生長出圓柱狀晶體。

　　泡生法與提拉法生長晶體在技術上的區別是: (1) 晶體直徑　在擴肩時前者的晶體直徑較大,可生長出100 mm 以上直徑的藍寶石晶體,而后者則有些難度; (2) 晶體方向　前者對生長大尺寸、有方向性的藍寶石晶體擁有更大的優勢;(3) 晶體質量　泡生法生長系統擁有適合藍寶石晶體生長的最佳溫度梯度。在生長的過程中或結束時,晶體不與坩堝接觸,大大減少了其應力,可獲得高質量的大晶體, 其缺陷密度遠低于提拉法生長的晶體,且兩者生長晶體的形狀也不同。